به گزارش پایگاه فراخوانهای علمی پژوهشی کشور ؛ این شرکت قصد دارد نانولوله‌های کربنی را جایگزین سیلیکون در ساخت ترانزیستور کند.
شرکت IBM به دنبال افزایش دانسیته ادوات الکترونیکی از طریق کوچک سازی ترانزیستورها است و برای این منظور از نانولوله کربنی در ساخت ترانزیستور استفاده کرده است.
این یافته اخیر محققان IBM می‌تواند سد موجود در مسیر فناوری ترانزیستورهای نیمه‌هادی را بشکند.
در تمام ترانزیستورها دو بخش وجود دارد: کانال و دو قطعه تماسی. با کوچکتر شدن ابعاد ترانزیستور، مقاومت قطعات تماسی افزایش می‌یابد. نانولوله‌های کربنی می‌توانند قابلیت عملکردی تراشه‌ها را افزایش دهند و منجر به ساخت کامپیوترهایی شوند که امکان پردازش اطلاعات زیادی را دارند.
ترانزیستورهای سیلیکونی، سوئیچ‌های بسیار کوچکی هستند که روی تراشه قرار گرفته و هر سال ابعاد آنها کوچکتر می‌شوند. اما این کوچک سازی با محدودیت‌هایی روبرو است؛ برای مثال از نقطه نظر فیزیکی این کوچک‌سازی تا حدی قابل انجام است.
محققان IBM نشان دادند که ترانزیستورهای سیلیکونی می‌توانند به عنوان سوئیچ عملکردی عالی داشته باشند به طوری که در ساختارهای آنها کانال‌هایی با ابعاد کمتر از 10 نانومتر وجود داشته باشد. این ابعاد نصف ابعادی است که در فناوری سیلیکونی رایج استفاده می‌شود.
یافته‌های اخیر محققان شرکت IBM منجر به کاهش ابعاد ترانزیستورها شده به طوری که می‌توان تراشه‌هایی کوچکتر و کاراتر که مصرف انرژی کمی دارند تولید کرد.
تابستان سال گذشته شرکت IBM موفق به رونمایی از اولین تراشه سیلیکونی نور 7 نانومتری شد که می‌تواند محدودیت‌های فعلی فناوری سیلیکونی را کنار بزند.
با جایگزینی سیلیکون توسط نانولوله‌های کربنی، مسیر توسعه تراشه‌ها تسریع می‌شود.
محققان این شرکت برای توسعه چنین فناوری جدیدی باید فرآیندهای متالورژی جدیدی را ایجاد کنند تا امکان اتصال نانولوله‌ها به قطعات الکترونیکی مختلف فراهم باشد.
الکترونیک مبتنی بر نانولوله کربنی راحت‌تر از فناوری سیلیکونی رشد می‌کند.
نتایج این پژوهش در قالب مقاله‌ای در نشریه Science منتشر شده است.